Что представляет собой данный элемент электрических схем
Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.
Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.
Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики. Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен. Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния. Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:
- UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
- ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
- IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
- IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
- IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.
Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.
Схемы с использованием TL431
Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.
Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)
Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:
Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)
Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.
Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.
Лабораторный блок питания на TL431 с защитой
Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.
Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.
Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)
Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.
Индикатор напряжения
Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.
Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.
Таймер задержки на TL431
Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).
Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.
Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317
Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).
Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.
Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.
Аналоги L1154
Аналогами источника постоянного тока L1154 являются:
- V13GA (изделия, отгружаемые компанией Varta);
- AG13 (детали, выпускаемые производителями часов Seiko и Smart Buy);
- RW82 (элементы, собираемые заводом Rayovac);
- G13 (обозначение батареек, изготовленных под брендами Camelion или Hyundai);
- A76 (используется для продукции крупных изготовителей батареек и аккумуляторов GP или Energizer);
- LR44H (продукция компании Duracell).
Все перечисленные элементы оснащены корпусами стандартного размера и обеспечивают напряжение 1,55 В. На нижней секции кожуха наносится товарное обозначение элемента питания и код производителя. Дополнительно указывается полярность (только для положительного полюса). На верхней части кожуха пояснительные надписи не наносятся.
При покупке нового источника питания требуется выяснить модель заводского элемента. Например, батарея PR44, имеющая идентичный внешний вид и габариты, построена на воздушно-цинковой основе. Номинальное напряжение, обеспечиваемое изделием, составляет 1,4 В (также несколько отличается номинальная емкость).
Изредка встречаются аккумуляторы Д-0,03 никель-кадмиевого типа (использовались в советской бытовой электронике), которые отличаются увеличенной на 0,1 мм высотой корпуса. Устанавливать вместо указанных изделий батарейки типа L1154 запрещается.
Владелец оборудования, рассчитанного на установку элементов L1154, может применить усовершенствованные батарейки SR44 (или V303), построенные на основе серебряно-цинковой композиции. Элементы обладают повышенными характеристиками отдачи тока, допускается эксплуатация изделий в расширенном температурном диапазоне.
Плюсом элементов является стойкость к ударным нагрузкам, возможно длительно хранение источников тока при температуре до -40°С без деградации электролита или активных веществ катода и анода.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Будет интересно Что такое светодиод
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
What is an L1154 Battery?
L1154 batteries represent button cell alkaline batteries of 1.5 volts. The L1154 battery is just one label/name for this series of batteries. You will find this type of battery under other common names, such as LR44, LR1154, AG13, and 157.
According to the IEC standard 60086-3, R44 battery is a round cell 11.6 mm in diameter and 5.4 mm in height.
The letter L in LR44 defines the chemistry type of the batter – a zinc negative electrode, manganese dioxide positive electrode and an alkaline electrolyte.
R44 batteries come in other chemistries, too, with specifications given in the following table.
Маркировка диодов
Маркировка выводных диодов:
Наиболее распространены следующие системы кодирования:
JEDEC(США)— Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.
Вид кода: .
Первая цифра – цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).
Буква – всегда буква “N”.
Серийный номер – двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.
Суффикс – отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.
Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001-1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).
PRO ELECTRON (Европа);
Обозначение состоит из четырех элементов.
Первый элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:
- A – германий;
- B – кремний;
- C – арсенид галлия;
- R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- A – маломощные импульсные и универсальные диоды;
- B – варикапы;
- E – туннельные диоды;
- G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
- H – магниточувствительные диоды;
- P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
- Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
- X – умножительные диоды;
- Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.
В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. В дополнительном коде для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.
Например, BZY88C4V7 – это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.
Таблица 1 — Цветовое кодирование диодов (PRO ELECTRON).
JIS (Япония, Азия);
Обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).
Второй элемент – буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).
Третий элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- E – диоды;
- G – диоды Ганна;
- Q – светоизлучающие диоды;
- R – выпрямительные диоды;
- S – слаботочные диоды;
- T – лавинные диоды;
- V – варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z – стабилитроны, ограничители.
Четвертый элемент – это серийный (регистрационный) номер прибора.
Пятый элемент – модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).
После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.
Маркировка SMD диодов:
SMD диоды маркируются обычно с помощью буквенно-числового кода. В зависимости от типа корпуса (т.е. его размера) и производителя, применяется та или иная система кодирования. Вполне очевидно, что рассмотреть все виды кодирования не представляется возможным. Поэтому далее будут рассмотрены некоторые коды для наиболее часто применяемых корпусов диодов. Более полную версию систем кодирования SMD диодов Вы можете посмотреть .
Для корпусов SOD80 (MiniMELF):
Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.
Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.
Цветовая маркировка:
Часто производитель кодирует лишь тип диода:
Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений
Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard
| # | Конфигурация | Тип корпуса | Цоколевка |
| Одиночный диод | SOT23 | D1a | |
| 2 | Два последовательно включенных диода | SOT23 | D1i |
| 3 | Два диода с общим анодом | SOT23 | D1j |
| 4 | Два диода с общим катодом | SOT23 | D1h |
| 5 | Два отдельных диода | SOT143 | D6d |
| 7 | Кольцо из четырех диодов | SOT143 | D6c |
| 8 | Мост из четырех диодов | SOT143 | D6a |
| 9 | Перевернутая четверка диодов | SOT143 | – |
| B | Одиночный диод | SOT323 | D2a |
| C | Два последовательно включенных диода | SOT323 | D2b |
| E | Два диода с общим анодом | SOT323 | D2c |
| F | Два диода с общим катодом | SOT323 | D2d |
| K | Два отдельных диода | SOT363 | D7b |
| L | Три отдельных диода | SOT363 | D7f |
| M | Четыре диода с общим катодом | SOT363 | D7g |
| N | Четыре диода с общим анодом | SOT363 | D7h |
| P | Мост из четырех диодов | SOT363 | D7i |
| R | Кольцо из четырех диодов | SOT363 | D7j |
| T | Диод с низкой индуктивностью | SOT363 | – |
| U | Последовательно-параллельная пара диодов | SOT363 | – |
Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах
| Тип | 1 полоса | 2 полоса | Эквивалент |
| BA682 | Красная | Нет | BA482 |
| BA683 | Красная | Желтая | BA483 |
| BAS32 | Черная | Нет | 1N4148 |
| BAV100 | Зеленая | Черная | BAV18 |
| BAV101 | Зеленая | Красная | BAV19 |
| BAV102 | Зеленая | Красная | BAV20 |
| BAV103 | Зеленая | Желтая | BAV21 |
| BB219 | Нет | Нет | BB909 |
Маркировка диодов и диодных сборок
| Наименование | Маркировка | Кол-во диодов | Обратное напр. | Прямой ток | Время рас. | Емкость диода | Корпус |
| LL 4148 | … | один | 70 В | 100 мА | 4 нс | 4,0 пФ | mini-МELF |
| BAS 216 | … | один | 75 В | 250 мА | 4 нс | 1,5 пф | SOD110 |
| BAT254 NEW | … | один | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOD110 |
| BAS 16 | JU/A6 | один | 75 В | 200 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAS 21 | JS | один | 200 В | 200 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
| BAV 70 | JJ/A4 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAV 99 | JK, JE, A7 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAW 56 | JD, A1 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAT54S | L44 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAT54C | L43 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAV23S | L31 | 2 диода | 200В | 225 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
Маркировка стабилитронов BZX84
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZX84C2V7 | W4 | 2,4B | 2,7B | 3,1B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V0 | W5 | 2,8B | 3,0B | 3,2B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V3 | W6 | 3,1В | 3,3В | 3,5В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C3V9 | W8 | 3,7В | 3,9В | 4,1В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C4V3 | Z0 | 4,1B | 4,3B | 4,5B | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C4V7 | Z1 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C5V1 | Z2 | 4,9B | 5,1B | 5,3B | 60 Ом | 0,03% |
| BZX84C5V6 | Z3 | 5,2В | 5,6В | 6,0В | 40 Ом | 0,03% |
| BZX84C6V2 | Z4 | 5,8В | 6,2В | 6,6В | 10 Ом | 0,05% |
| BZX84C6V8 | Z5 | 6,4В | 6,8В | 7,2В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C7V5 | Z6 | 7,1В | 7,5В | 7,9В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C8V2 | Z7 | 7,7В | 8,2В | 8,7В | 15 Ом | 0,06% |
| BZX84C9V1 | Z8 | 8,8В | 9,1В | 9,5В | 20 Ом | 0,05% |
| BZX84C10 | Z9 | 9,4В | 10,0В | 10,6В | 20 Ом | 0,07% |
| BZX84C12 | Y2 | 11,4В | 12,0В | 12,7В | 25 Ом | 0,07% |
| BZX84C15 | Y4 | 13,8В | 15,0В | 15,6В | 30 Ом | 0,08% |
| BZX84C18 | Y6 | 16,8В | 18,0В | 19,1В | 45 Ом | 0,08% |
| BZX84C20 | Y8 | 17,8В | 20,0В | 21,0В | 45 Ом | 0,08% |
Маркировка стабилитронов BZT52
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZT52-C3V3S | W4 | 3,1B | 3,3B | 3,5B | 95 Oм | -0,055% |
| BZT52-C3V9S | W6 | 3,7B | 3,9B | 4,1B | 95 Oм | -0,050% |
| BZT52-C4V3S | W7 | 4,0В | 4,3В | 4,6В | 95 Ом | -0,035% |
| BZT52-C4V7S | W8 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 75 Ом | -0,015% |
| BZT52-C5V1S | W9 | 4,8B | 5,1B | 5,4B | 60 Ом | -0,005% |
| BZT52-C6V8S | WB | 6,4B | 6,8B | 7,2B | 8 Ом | 0,045% |
Как проверить SMD компоненты
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Будет интересно Что такое транзистор
A4 SMD МАРКИРОВКА
| код | наименование | функция | корпус | производитель |
| A4 | 74AUP1Z04GS/G* | драйвер кварцевого резонатора | sot363/xson6 | NXP |
| A4 | BAV70/T/W/M | два ВЧ диода ОК: 75 В/450 мА | sot23/sot416/sot883 | Nexperia |
| A4 | BAV70S | 2х сдвоенных ВЧ диода ОК: 75 В/450 мА | sot363 | NXP |
| A4 | BAV70|W | два fast диода ОК: 70В/200 мА/6 нс | sot23|sot323 | Diotec |
| A4 | BC847CQB | npn: 45В/100 мА h21=420…800 automotive | dfn1110-3 | Nexperia |
| A4 | BZX884-B3V3 | стабилитрон 250 мВт: 3,3В | sod882 | NXP |
| A4 | KDZ36V | стабилитрон 200 мВт: 36В | usc | KEC |
| A4 | PESD5V0S4UF | 4х сапрессора: 5,0 В | sot886 | NXP |
| A4 | PTVS6V5S1UR | сапрессор 400W: 6.5 В | sod123w | NXP |
| A4x | HSMS-2804/-280F | два диода Шоттки с общим катодом | sot23/sot323 | Avago |
| A40 | OPA340NA | КМОП ОУ r2r i/o 6 В/мкс | sot23-5 | TI |
| A40 | OPA363 | ОУ R2R I/O микромощный с питанием от 1,8 В | sot23-6 | TI |
| A40A | OPA340EA | КМОП ОУ r2r i/o 6 В/мкс | vssop8 | TI |
| A41 | 74AHC2G241DC/GD | двухвентильный tst-буффер | vssop8/xson8 | NXP |
| A41 | OPA364 | ОУ R2R I/O микромощный с питанием от 1,8 В | sot23-5 | TI |
| A44 | OPA(2)244A | ОУ (сдвоенный) микромощный | sot23-5(msop-8) | TI |
| A45A | LM8261M5 | ОУ RRIO с мощным выходом | sot23-6 | TI |
| A46 | BAR46A | 2 ОА диода Шоттки: 100 В/150 мА | sot23 | STM |
| A46 | LM8262MM | сдвоенный ОУ RRIO с мощным выходом | msop8 | TI |
| A47A | LMV711M6 | универсальный ОУ RRIO с разрешением, 5 В/мкс | sot23-6 | TI |
| A48 | OPA348AI | ОУ КМОП R2R I/O 1 МГц ind | sot23-5 | TI |
| A48 | LMV301MG | КМОП ОУ RRO Uпит=1,8 В | sc70-5 | TI |
| A48A | LMV710M5 | универсальный ОУ R2R I/O, 5 В/мкс | sot23-5 | TI |
| A49 | OPA349NA | микромощный ОУ КМОП R2R I/O 70 кГц | sot23-5 | TI |
| A4A | AD8541RT | ОУ прецизионный | sot23-5 | ADI |
| A4K | AD8541KS | ОУ прецизионный | sc70-8 | ADI |
| A4p | BAV70/T/W/M | два ВЧ диода ОК: 75В/450 мА | sot23/sot323/sot883 | NXP |
| A4p | BAV70S | 2х сдвоенных ВЧ диода ОК: 75В/450 мА | sot363 | NXP |
| A4s | BAV70/T/U/W | 2 fast диода ОК: 70В/215 мА | sot23/sc75/sc74/sot323 | Infineon |
| A4s | BAV70S | 2x сдвоенных fast диодов ОК: 70В/215 мА | sot363 | Infineon |
| A4t | BAV70/T/W/M | два ВЧ диода ОК: 75 В/450 мА | sot23/sot416/sot883 | NXP |
| A4t | BAV70S | 2х сдвоенных ВЧ диода ОК: 75В/450 мА | sot363 | NXP |
| A4W | BAV70/T/W | два ВЧ диода ОК: 75 В/450 мА | sot23/sot416/sot883 | NXP |
| A4W | BAV70S | 2х сдвоенных ВЧ диода ОК: 75В/450 мА | sot363 | NXP |
При расшифровке обозначения учитывайте, что при маркировке планарных компонентов символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. А тут можете посмотреть разного типа размеры корпусов SMD деталей
- SM SMD МАРКИРОВКА
- VI SMD МАРКИРОВКА
- VJ SMD МАРКИРОВКА
- VK SMD МАРКИРОВКА
Мощность рассеивания стабилитрона
Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:
Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.
Заключение
Мастера по ремонту радиоаппаратуры и электронной техники знают, насколько необходимо иметь в своем арсенале лабораторный источник питания – специальное электронное устройство, благодаря которому происходит регулирование тока и напряжения.
Представляет собой ящик, оснащенный экраном, индикаторами, кнопками, защитными функциями, потенциометрами регулирования и дополнительным функционалом. Достаточно важная составляющая при проведении лабораторных исследований, когда необходимо получить точную и качественную характеристику производимых испытаний.
В большинстве случаев на полках магазинов представлена продукция китайского происхождения или российских компаний. Она отличается не только ценой, но и габаритами, весом, техническими характеристиками, материалом изготовления, надежностью и долговечностью. Критерии выбора у каждого свои, в зависимости от сферы использования данного инструмента и финансовых возможностей покупателя.
